碳化硅在高频高压应用空间打开，国内企业开始加速替代

风光储领域供需缺口最大的器件，碳化硅在高频高压应用空间打开，国内企业开始加速替代！

兴业证券指出，以碳化硅为代表的第三代半导体在高压高频领域应用优势明显，特别是在新能源车、风光储领域需求快速爆发，碳化硅供需存在巨大缺口。碳化硅领域，尤其是衬底技术壁垒高、价值量占比大，主要被国外垄断，目前国内企业开始加速突破，同时SiC功率器件国内企业也开始超车。

1）第三代半导体在高频高压场景优势明显，碳化硅为核心材料

第三代半导体材料具有禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等特点，在高频、高压、高温等工作场景中，有易散热、小体积、低能耗、高功率等明显优势。

碳化硅已成为目前应用最广、市占率最高的第三代半导体材料，碳化硅器件全球市场规模超过10亿美元。

2）多应用领域驱动需求爆发，供给侧缺口巨大

碳化硅器件在电动汽车、光电新能源、轨道交通等领域均存在广泛应用前景。碳化硅市场快速增长的两大驱动力：

①新能源汽车加速渗透，800V高压快充平台加速布局，拉动车用碳化硅器件需求，测算2025年全球新能源车车用6英寸碳化硅晶圆市场空间将达143亿元。

②风光储拉动碳化硅器件需求，测算2025年全球风，光储新增装机量将达687GWh，带来44.5亿元6英寸碳化硅晶圆需求量的增长。

从供给端来看，碳化硅衬底、外延材料制作难度大，碳化硅产业链产能受限，全球厂商持续投入，但仍存在巨大供给缺口。

3）各环节技术壁垒高海外龙头垄断，产业链加速国产替代

SiC衬底占产业链主要价值量，具有极高制造难度，得益于国内政策大力扶持，衬底领域出现良好国产替代契机。

SiC外延设备仍呈现四大龙头垄断格局，国内厂商紧追国际前沿加速切入外延晶片生产领域，已具备较高生产水平并逐渐接近海外领先水平。

新一代半导体材料促使全新的封装工艺产生，有望带来价值量的提升。

SiC功率器件时代来临，国内企业紧握超车机会，SiC器件和Si器件价差不断缩小，国产替代进程有望进一步提速。

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